Esthetisch | Hoge effici?ntie | Hoge betrouwbaarheid | Hoge opwek per Wp vermogen
Producteigenschappen:
- Volledig instralingsabsorberend oppervlak
- Volledige silicium energieopwekking
- All Back elektrode
- All Back Passivering contact technologie
- Zilvervrije metalisatie
- Volledige levensduur hotspot risicobeheersing
Meer beschrijvingen:
Overwin technische belemmeringen van het N-type en volledig onafhankelijke eigendomsrechten
Op basis van het eerste succesvolle product ontwikkeld door het gezamenlijke innovatiecentrum, heeft AIKO zelf kernapparatuur en massaproductieprocessen ontwikkeld, met volledig onafhankelijke intellectuele eigendomsrechten.
Zilvervrije metallisatie en een historische technologische doorbraak
ABC zilvervrije technologie kan het probleem van gebroken rooster van kristallijn siliciumcellen aanzienlijk verminderen en tegelijkertijd zorgen voor stroomopwekking, en kan ook voorkomen dat de levensduur van het onderdeel wordt be?nvloed door de levensduur van de zilverdraad.
Revolutionair N-type Zonnekristallijn siliciumcelproduct met volledig rugcontact
De voorkant is vrij van metalen roosterdekking, ontvangt 100% zonlicht en heeft een uitstekende lichtvervalweerstand en mechanische belastingsprestaties; Lage temperatuurco?ffici?nt, beter weerstand tegen hoge temperaturen, hoge effici?ntie, hoge verschijning.
Nieuwe intelligente productiefabriek in Zhuhai
In Q4 2022 zal 6,5 GW in gebruik worden genomen op de Zhuhai-basis van AIKO, met een landoppervlakte van ongeveer 1.100 mu en een ontwerpcapaciteit van 26 GW, en 10 GW aan ABC-celmoduleproductiecapaciteit zal worden gevormd in Q3 2023.
Brede vooruitzichten voor technologische ontwikkeling
In de toekomst kan ABC worden gesuperponeerd met perovskiet, koper-indium-gallium-selenium, cadmiumtelluride, dunnefilmzonnecellen en andere technologie?n.
Hoge effici?ntie | Hoge betrouwbaarheid | Hoge elektriciteitsopwek | Bifacial, dubbele meting en dubbele verdeling
Grootte:
- 182mm×182mm (diameter 247±0,5mm)
- 210mm×210mm (diameter 295±0,25mm)
- Dikte: 160±20μm
Meer beschrijvingen:
Model 1: 182mm 10BB dubbelzijdige hoge effici?nte monokristallijne PERC-cellen
- Voorzijde (?): Silica + blauw siliciumnitride composiet antireflectieve membraan (PID-vrij); De afbeelding aan de voorkant is een half-chip ontwerp; De kop van de hoofdrooster is een grote dubbelvork, de lasplaat van de hoofdrooster is met tussenpozen getrapt, de grootte van de lasplaat aan de kop is 1,2 ± 0,15 mm * 1,3± 0,15 mm en de grootte van de middelste lasplaat is 0,8 ± 0,15 mm * 1± 0,15 mm.
- Achterkant (+): passivering composietlaag (aluminiumoxide en siliciumnitride); De achterste elektrode bestaat uit 10 composiet hoofdroosterlijnen aan de achterkant en 160 Al secundaire roosterlijnen aan de achterkant; De samengestelde hoofdroosterlijnen zijn lokaal versmald en de breedtes zijn respectievelijk 1,5±0,3 mm en 1,0±0,3 mm. 8-segment 1,45±0,3 mm Ag-rugelektrode, geen lasersleuf onder de rugelektrode, ronde kop van de rugelektrode en uitgeholde 1,5±0,6 mm aan beide uiteinden.
Model 2: 210mm 12BB dubbelzijdige hoge effici?nte monokristallijne PERC-cellen
- Voorzijde (?): Silica + blauw siliciumnitride composiet antireflectieve membraan (PID-vrij); Half-chip ontwerp; 12 hoofdroosterlijnen en 120-180 secundaire roosterlijnen; De breedte van het hoofdrooster is 0,06±0,02 mm, het hoofdrooster omvat twee segmenten, groot dubbelvorkontwerp met twee uiteinden, een enkel hoofdrooster heeft 4 grote dubbele vorken, de grootte van de grote dubbelvork is (1,7±0,1 mm) × (6,4±0,1) mm, er zijn 14 laspunten bij de verbinding tussen het hoofdrooster en het fijne rooster en de grootte van de laspunt is (1,5±0,15) mm× (0,9±0,15) mm.
- Achterkant (+): passivering composietlaag van aluminiumoxide en siliciumnitride; De achterste elektrode bestaat uit 12 composiet hoofdroosterlijnen aan de achterkant en 150-250 Al secundaire roosterlijnen aan de achterkant; 8-segment 1,9±0,2 mm Ag-rugelektrode.
Model 3: 210mm 9BB dubbelzijdige hoge effici?nte monokristallijne PERC-cellen
- Voorzijde (?): Silica + blauw siliciumnitride composiet antireflectieve membraan (PID-vrij);3-segment ontwerp; 9 hoofdroosterlijnen en 120-180 secundaire roosterlijnen; De breedte van het hoofdrooster is 0,06±0,02 mm, het hoofdrooster omvat twee segmenten, groot dubbelvorkontwerp met twee uiteinden, de grootte van de grote dubbelvork is (1,5±0,1 mm) × (7,2±0,1) mm, er zijn 12 laspunten bij de verbinding tussen het hoofdrooster en het fijne rooster en de grootte van het laspunt is (1,5±0,15) mm× (1,0±0,15) mm.
- Achterkant (+): passivering composietlaag van aluminiumoxide en siliciumnitride; De achterste elektrode bestaat uit 9 composiet hoofdroosterlijnen aan de achterkant en 150-250 Al secundaire roosterlijnen aan de achterkant; 9-segment 1,8±0,2 mm Ag-elektrode.
